作為金屬有機物氣相外延（OMVPE或MOCVD）基礎理論和應用實踐方面的教學參考書，適用於材料物理，材料化學和電子專業的本科生和研究生。同時也適合作為OMVPE生產和研發人員的工具書。本書第一章首先總攬了OMVPE的生長過程，並和其他的外延工藝做細致的比較。第二到第六章則分別論述了OMVPE生長的各個方面：熱力學（第二章），表面物理過程（第三章），反應源（第四章），動力學（第五章）以及流體力學和質量輸運（第六章）。這些論述不但包括基本的模型論述，還包括主要研究進展以及發展的趨勢，內容豐富。第七章討論了OMVPE生長過程的設計，包括動力學限制及高溫區的生長，同時也對整體的OMVPE過程進行設計。第八章則介紹了諸如GaAs，InP，GaN等特定的材料。第九章介紹了超晶格結構，第十章則對OMVPE生長的器件進行了論述。

第一章 OMVPE方法概述 1.1 引言 1.2 外延技術的比較 1.3 OMVPE生長過程概述 參考文獻第二章 熱力學 2.1 相平衡的熱力學基礎 2.2 相圖 2.3 外延生長的熱力學驅動力 2.4 固態組分 2.5 四元系 2.6 表面熱力學 參考文獻第三章 表面物理過程 3.1 引言 3.2 表面測量技術 3.3 表面特性的直接觀測 3.4 原子級生長過程 3.5 表面過程對OMVPE生長的影響 參考文獻第四章 源物質 4.1 引言 4.2 Ⅱ族源 4.3 Ⅲ族有機源 4.4 Ⅴ族有機源 4.5 Ⅵ族源 4.6 金屬有機摻雜源 參考文獻第五章 動力學 5.1 背景 5.2 0MVPE生長過程 5.3 單相熱解反應 5.4 多相熱解反應 5.5 有序 參考文獻第六章 流體力學與質量輸運 6.1 引言 6.2 0MVPE的完全流體力學處理 6.3 邊界層模型 6.4 卧式OMVPE反應室近似分析方法 6.5 反應室設計應用 參考文獻第七章 OMVPE生長過程設計 7.1 OMVPE生長的綜合模型 7.2 動力學限制的生長 7.3 中等溫度下所有氣壓范圍內的生長過程 7.4 高溫區 7.5 Ⅱ／Ⅵ族化合物的OMVPE生長 7.6 總體工藝過程設計 參考文獻第八章 OMVPE生長的材料 8.1 GaAs 8.2 AlGaAs 8.3 GaInAs，AlInAs和AlGaInAs 8.4 InP 8.5 GaP，GaInP，A1GaInP 8.6 As／P合金 8.7 銻化物及其合金 8.8 Ⅲ／Ⅴ族氮化物，AlGaInN 8.9 Ⅲ／Ⅴ族半導體的選區生長 8.1 0Ⅱ／Ⅵ族半導體 8.1 1Ⅳ族半導體 8.1 2非半導體材料 參考文獻第九章 超晶格 9.1 AlGaAs／GaAs 9.2 GaInAs／InP 9.3 A1GaInP／GaInP 9.4 GaInAs／GaAs 9.5 AlGaInN 9.6 應變層超晶格 9.7 Si襯底上的GaAs 9.8 SiGe合金 9.9 Ⅱ／Ⅵ化合物 9.1 0摻雜超晶格 9.1 1原子層外延(ALE) 參考文獻第十章 器件 10.1 注入式激光器和LED 10.2 光電二極管 10.3 電子開關器件 10.4 太陽能電池 10.5 總結 參考文獻文中縮略語金屬有機源分子符號索引