積體電路 | IC
積體電路（英語：integrated circuit，縮寫作IC；德語：integrierter Schaltkreis），或稱微電路（microcircuit）、微晶片（microchip）、晶片（chip），在電子學中是 ...積體電路維基百科，自由的百科全書跳至導覽跳至搜尋此條目翻譯品質不佳。
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「積體電路」的各地常用別名中國大陸集成電路臺灣積體電路港澳集成電路日韓集積回路英特爾486DX2處理器的積體電路於電子顯微鏡下積體電路（英語：integratedcircuit，縮寫作IC；德語：integrierterSchaltkreis），或稱微電路（microcircuit）、微晶片（microchip）、晶片（chip），在電子學中是一種將電路（主要包括半導體裝置，也包括被動元件等）集中製造在半導體晶圓表面上的小型化方式。
前述將電路製造在半導體晶片表面上的積體電路，又稱薄膜（thin-film）積體電路。
另有一種厚膜（英語：Thickfilmtechnology）（thick-film）併合積體電路（英語：hybridintegratedcircuit）（hybridintegratedcircuit）[1][註1]是由獨立半導體裝置和被動元件整合到基板或線路板所構成的小型化電路[註2]。
本文是關於單片（monolithic）積體電路，即薄膜積體電路。
從1949年到1957年，維爾納·雅各比（英語：WernerJacobi）、傑佛理·杜莫（英語：JeffreyDummer）、西德里·達林頓（英語：SidneyDarlington）、樽井康夫（日語：樽井康夫）都開發出了原型，現代的積體電路則是由傑克·基爾比在1958年發明，並因此榮獲2000年諾貝爾物理獎。
同時間發展出近代實用的積體電路的羅伯特·諾伊斯，卻早在1990年就過世。
目錄1介紹2積體電路的發展3積體電路的普及4分類5製造5.1封裝6報刊7注釋8參考文獻9延伸閱讀10外部連結11參見介紹[編輯]電晶體發明並大量生產之後，各式固態半導體元件如二極體、電晶體等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。
到了20世紀中後期半導體製造技術進步，便使積體電路成為可能。
相對於手工組裝電路使用個別的分立電子元件，積體電路可以把很大數量的微電晶體整合到一個小晶片，是一個巨大的進步。
積體電路的規模生產能力、可靠性，電路設計的模組化方法確保了快速採用標準化積體電路代替了設計使用離散電晶體。
積體電路對於離散電晶體有兩個主要優勢：成本和效能。
成本低是由於晶片把所有的元件通過照相平版技術，作為一個單位印刷，而不是在一個時間只製作一個電晶體。
效能高是由於元件快速開關，消耗更低能量，因為元件很小且彼此靠近。
2006年，晶片面積從幾平方毫米到350mm²，每mm²可以達到一百萬個電晶體。
第一個積體電路雛形是由傑克·基爾比於1958年完成的，其中包括一個雙極性電晶體，三個電阻和一個電容器，相較於現今科技的尺寸來講，體積相當龐大。
電子顯微鏡下碳奈米管微電腦晶片體的場效應畫面根據一個晶片上整合的微電子元件的數量，積體電路可以分為以下幾類：小型積體電路（SSI英文全名為SmallScaleIntegration）邏輯閘10個以下或電晶體100個以下。
中型積體電路（MSI英文全名為MediumScaleIntegration）邏輯閘11~100個或電晶體101~1k個。
大型積體電路（LSI英文全名為LargeScaleIntegration）邏輯閘101~1k個或電晶體1,001~10k個。
超大型積體電路（VLSI英文全名為Verylargescaleintegration）邏輯閘1,001~10k個或電晶體10,001~100k個。
極大型積體電路（ULSI英文全名為Ultr
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前述將電路製造在半導體晶片表面上的積體電路，又稱薄膜（thin-film）積體電路。
另有一種厚膜（英語：Thickfilmtechnology）（thick-film）併合積體電路（英語：hybridintegratedcircuit）（hybridintegratedcircuit）[1][註1]是由獨立半導體裝置和被動元件整合到基板或線路板所構成的小型化電路[註2]。
本文是關於單片（monolithic）積體電路，即薄膜積體電路。
從1949年到1957年，維爾納·雅各比（英語：WernerJacobi）、傑佛理·杜莫（英語：JeffreyDummer）、西德里·達林頓（英語：SidneyDarlington）、樽井康夫（日語：樽井康夫）都開發出了原型，現代的積體電路則是由傑克·基爾比在1958年發明，並因此榮獲2000年諾貝爾物理獎。
同時間發展出近代實用的積體電路的羅伯特·諾伊斯，卻早在1990年就過世。
目錄1介紹2積體電路的發展3積體電路的普及4分類5製造5.1封裝6報刊7注釋8參考文獻9延伸閱讀10外部連結11參見介紹[編輯]電晶體發明並大量生產之後，各式固態半導體元件如二極體、電晶體等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。
到了20世紀中後期半導體製造技術進步，便使積體電路成為可能。
相對於手工組裝電路使用個別的分立電子元件，積體電路可以把很大數量的微電晶體整合到一個小晶片，是一個巨大的進步。
積體電路的規模生產能力、可靠性，電路設計的模組化方法確保了快速採用標準化積體電路代替了設計使用離散電晶體。
積體電路對於離散電晶體有兩個主要優勢：成本和效能。
成本低是由於晶片把所有的元件通過照相平版技術，作為一個單位印刷，而不是在一個時間只製作一個電晶體。
效能高是由於元件快速開關，消耗更低能量，因為元件很小且彼此靠近。
2006年，晶片面積從幾平方毫米到350mm²，每mm²可以達到一百萬個電晶體。
第一個積體電路雛形是由傑克·基爾比於1958年完成的，其中包括一個雙極性電晶體，三個電阻和一個電容器，相較於現今科技的尺寸來講，體積相當龐大。
電子顯微鏡下碳奈米管微電腦晶片體的場效應畫面根據一個晶片上整合的微電子元件的數量，積體電路可以分為以下幾類：小型積體電路（SSI英文全名為SmallScaleIntegration）邏輯閘10個以下或電晶體100個以下。
中型積體電路（MSI英文全名為MediumScaleIntegration）邏輯閘11~100個或電晶體101~1k個。
大型積體電路（LSI英文全名為LargeScaleIntegration）邏輯閘101~1k個或電晶體1,001~10k個。
超大型積體電路（VLSI英文全名為Verylargescaleintegration）邏輯閘1,001~10k個或電晶體10,001~100k個。
極大型積體電路（ULSI英文全名為Ultr